當(dāng)今社會(huì)發(fā)展和高科技高速發(fā)展，對(duì)新功能材料的要求促進(jìn)著新材料的出現(xiàn)，新材料的出現(xiàn)又促進(jìn)高技術(shù)的發(fā)展。

信息技術(shù)發(fā)展，使人們有了日益方便的通訊工具，例如每人一個(gè)手機(jī)，可在地方交流信息，帶一個(gè)筆記本電腦，可計(jì)算資料，查找需要的信息，編寫(xiě)文件，存取資料。與世界各地傳輸信息，觀賞電視，欣賞音樂(lè)，玩電子游戲等。

它們的基礎(chǔ)材料是硅片制成的集成電路、芯片，這些芯片就來(lái)自于“硅”。以工業(yè)硅制成多晶硅、單晶、切片、刻錄等。信息技術(shù)的發(fā)展就促進(jìn)著硅及其深加工的研究和生產(chǎn)。信息傳遞中的光纖是熔融石英纖維。高純的二氧化硅和微量的鍺，代替了電纜，形成通信技術(shù)的重大進(jìn)步，它以每公里27g光纖代替了每公里質(zhì)量上噸的銅電纜。而且每根光纖的通信容量可達(dá)幾千萬(wàn)甚至上億的話(huà)路。不受外界電磁渡的干擾，保密性強(qiáng)，而光纖需要純度6N的二氧化硅，并要求若干金屬雜質(zhì)濃度達(dá)到10-9級(jí)（pph）。光纖在20世紀(jì)90年代的銷(xiāo)售就達(dá)到每年數(shù)十億美元。

在計(jì)算機(jī)中存儲(chǔ)器有重大的作用，磁帶、軟磁盤(pán)、硬磁盤(pán)。金礦石設(shè)備以及金礦石加工設(shè)備在20世紀(jì)70年代，用磁性氧化物（如氧化鐵粉），以后用磁控濺射的方法制薄膜，用合金如CoCrPt、CoCrTa等，存儲(chǔ)密度有很大提高，之后又走向用納米晶粒，研制CoSm和Fe/Pt多層膜，以及Fe/Cr和Co/Cu多層膜。

在信息顯示技術(shù)陰極射線(xiàn)管用發(fā)光材料，紅色的Y2O2S：Eu，藍(lán)色ZnS：Ag，綠色Zns：Cu，Al，并要求純度高?，F(xiàn)在發(fā)展為平板顯示、液晶顯示、等離子顯示、發(fā)光二極管顯示、熒光粉綠色用BaAI12O19：Mn2，藍(lán)色用BaMgAI14O23：Eu2。薄膜電致發(fā)光由襯底玻璃板、ITO（銦錫氧化物）電極、絕緣層、發(fā)光層、背金屬電極組成。發(fā)光材料是ZnS.、CaS、SrS，較近提出用Zn2SiO2和ZnCa2O4，摻人Mn和稀土元素（Eu、Tstrong、Ce）。發(fā)光二極管的基質(zhì)材料有As化合物GaAs、GaP、GaN、ZaSe、InP、InGaAIP，在光電探測(cè)器中使用InGaAs.、InAIAs、CaAs、InP.InCaAsP、Si02。還有許多有機(jī)光電子材料，壓電陶瓷用BaT103，壓力敏感的材料Si、Ga、InSstrong、CaP等。傳感器材料是傳感器（壓敏、熱敏、磁敏、氣敏、濕敏）的基矗激光材料用GaN、Ti3：Al2O3、GaAs.InAs、AIAs、GaSstrong、InSstrong.AISstrong.、InP等。光電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造的價(jià)值很大。美國(guó)研究技術(shù)突破為首，而日本在應(yīng)用，產(chǎn)業(yè)化方面較強(qiáng)，效益理想。1999年日本光電子產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值610億美元。我國(guó)起步較晚，1998年達(dá)到500億元（約60億美元）。

如上所述，信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)需要許多金屬和非金屬元素材料、化合物材料，使用許許多多的新材料為人類(lèi)所用，因此發(fā)展高新技術(shù)大大推動(dòng)材料和產(chǎn)品的發(fā)展。

-END-