上地幔底辟上升

本區(qū)上地幔橄欖巖的地溫分布的一個(gè)顯著特征是，在上地幔淺部遠(yuǎn)寓大洋型地溫曲線，在相應(yīng)的深度部位上比典型的大洋地溫的溫度要高。這是什么原因造成的呢?本區(qū)上地幔橄欖巖極發(fā)育碎斑結(jié)構(gòu)，斜方輝石碎斑中常常有出溶的單斜輝石頁片(鄂莫嵐等，1982)，單斜輝石碎斑雖然少見，但常有出溶的斜方輝石頁片(羅照華，1984)，以及變形結(jié)構(gòu)(如橄欖石的扭折帶，橄欖石的優(yōu)選方位，巖石的葉理構(gòu)造等)等均暗示了，本區(qū)上地幔曾經(jīng)歷過底辟上升。本區(qū)輝石地溫在上地幔淺部偏離典型大洋地溫曲線的特征，可能從另一個(gè)側(cè)面反映了上地幔底辟上升的信息。

大致沿絕熱梯度曲線底辟上升的方向，絕熱梯度大約只有熔融梯度的十分之一(Carmich,et等，1974)。在玄武巖碎石生產(chǎn)線上需要用到很多的玄武巖生產(chǎn)設(shè)備。這種上地幔的底辟上升可能是廣大范圍的，它的必然結(jié)果是巖石圈的抬升，上覆的地殼變薄，巖石圈拉張形成巖石圈深斷裂。這可能是本區(qū)在中―新生代時(shí)期活化．新生代時(shí)期發(fā)育為大陸裂谷構(gòu)造的內(nèi)在原因之一。地層及構(gòu)造的分析說明東北地區(qū)白堊紀(jì)以來地殼抬升擴(kuò)張，地亮厚度減薄(張勤文等，1982)。表層的變化孕于深部的演化，看來，上地幔的熱狀態(tài)和土地幔的演化是控制地殼構(gòu)造演變的內(nèi)在因素。

輝石巖的地溫特征

輝石巖的地溫分布在典型的大洋型地溫曲線以上，在相當(dāng)?shù)纳疃壬媳认鄳?yīng)的橄欖巖地溫大約要高出100一150~C，它可能是反映輝石巖由巖漿形成的一點(diǎn)信息。壓力的范圍代表了輝石巖巖漿侵位并固結(jié)于深度100―50km的上地幔上部。輝石巖中單斜輝石普遍發(fā)育斜方輝石出溶頁片，表明輝石巖形成后還有一個(gè)溫度降低的過程，使它往大洋地溫曲線靠近。但是，盡管如此，相對(duì)于上地幔橄欖巖來說，輝石巖巖漿的“過熱”狀態(tài)的某些信息仍然被保存下來了。由于上地幔的底辟上升，巖漿的分凝物質(zhì)(例如輝石巖)的存在等不但使上地幔在物質(zhì)組成上產(chǎn)生不均一性，同時(shí)熱狀態(tài)亦存在不均一性。

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